李林松课题组报道了利用CdSe/CdS荧光纳米片作为发光层构筑超单色性绿色量子点发光二极管的研究内容，该研究为纳米片在三基色超单色性量子点发光二极管中的应用奠定了基础。该研究成果发表在Nanoscale, 2016, 8, 12182–12188（SCI一区，IF=7.760）。文章链接：http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/nr/c6nr02922a#!divAbstract

(a) Spectral comparison of PL of QD solution versus EL of QLED. Inset: Photograph of QLED. (b) Current efficiency and external quantum efficiency versus luminance.

量子点具有单色性佳、饱和度高、发射光谱连续可调的特点，而单色性佳是量子点最为显著的特点之一，目前，对于量子点发光二极管而言，超单色性是一个新的概念。我们合成了量子产率达60%，半峰宽仅为12 nm的CdSe/CdS核壳结构纳米片。该量子点作为发光层构筑的绿色量子点发光二极管最高亮度达到33000 cd/m²（EL=560 nm），外部量子效率（EQE）达到5.0%，发光效率达到了12.5 cd/A，最终器件保持了超单色性的优势，电致发光半峰宽仅为14 nm。基于这种荧光纳米片在国际上首次构筑了高性能和超单色性结合的绿色QLEDs。为超单色性在照明和显示等领域的应用提供了切实可行的平台。