近日，李林松课题组和QLED平台申怀彬教授合作报道了不同壳层厚度的ZnCdSe/ZnS核壳结构量子点构筑的高性能QLED器件。该成果发表在Chemistry of Materials上(Chem. Mater. 2018, 30, 3668−3676. SCI一区，IF=10.159)。文章链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.chemmater.8b00183

该工作通过“低温成核、高温长壳”的方法合成了一系列不同壳层厚度的ZnCdSe/ZnS核壳结构量子点。当ZnS壳层厚度介于2个单层至20个单层之间时，量子点的单颗粒荧光是非闪烁的、瞬态荧光单指数衰减。当ZnS壳层的厚度为10个单层时，所构筑的QLED器件的最大外量子效率达到~17%。