最近，杜祖亮教授课题组报道了使用QDs@PFN作为发光层，解决了量子点发光二极管（QLED）中空穴传输层/发光层界面存在大的空穴注入势垒的问题。该研究工作发表在Organic Electronics, 2019, 66, 110–115. (SCI, IF=3.68)

https://doi.org/10.1016/j.orgel.2018.11.045

对于实现高性能的全溶液法构筑的量子点发光二极管（QLED），提高空穴注入效率以平衡发光层中的载流子是关键。针对这一点，我们利用聚[（9,9-双（3' -（N，N-二甲基氨基）丙基）-2,7-芴）-alt-2,7-（9,9-辛基-芴）（PFN）的特殊性质，引入了一种新策略——将少量PFN界面修饰材料与QD简单地混合作为发光层（QDs@PFN EML）。对于QDs@PFN EML，PFN添加剂不仅可以通过氮原子的孤对电子与QDs之间的相互作用将QDs的价带显著上移0.41 eV，而且由于其n型半导体特性还能保持EML中有效的电子注入/传输。因此，基于QDs @ PFN EML的器件的空穴注入效率得到显著提高，优化的红色QLED最大电流效率为16.21 cd A^-1，最大外量子效率EQE为14.77％，与标准器件的效率相比提高了1.8倍。结果表明，在QDs EML中引入少量含有脂肪胺基团的聚合物材料可以在高性能全溶液法构筑的QLED中保持有效电子注入/传输的同时改善空穴注入。