最近，QLED平台申怀彬、杜祖亮教授和曾在平教授合作，通过调控中间壳层元素比例以及ZnS壳层厚度，成功制备出高稳定性、高量子产率（~81%）、大尺寸的蓝色InP/GaP/ZnS//ZnS核壳量子点。基于该类InP核壳结构量子点构筑的蓝色发光二极管的亮度和外量子效率分别达到3120 cd · m-2和1.01%，是目前已报道蓝色InP-QLED亮度与效率的最高值。该成果发表在Nature Index收录期刊 Journal of Physical Chemistry Letters上（J. Phys. Chem. Lett. 2020, 11, 960−967. SCI一区，IF=6.710）。

https://dx.doi.org/10.1021/acs.jpclett.9b03567

该蓝色器件在初始亮度为100 cd · m-2时，其T50 寿命达到120分钟，是目前最好的蓝色钙钛矿发光二极管的28倍。通过对千级原子构建的量子点模型进行大规模DFT计算和实际的实验结果对比，证明了较厚壳层的量子点有利于更平衡的载流子注入，同时抑制了量子点旋涂成膜后FRET的影响，这些共同促进了对蓝色InP-QLED性能的改善。目前的工作对开发商业化的无重金属发光器件具有重要意义。另该团队2019年发表在Advanced Optical Materials上（Advanced Optical Materials 2019, 7, 1801602. SCI一区、IF=7.430）的绿色InP基QLED工作，也受到了广泛的关注，并入选ESI高被引论文。