2020年10月21日上午，西安电子科技大学韩根全教授应特种功能材料重点实验室的邀请，来我院进行学术交流，并在学术报告厅开展了题为“Some Devices for Post-Moore Era: Logic, Memory, and Power Transistors”的精彩报告。本次报告由特种功能材料重点实验室程纲教授主持，学院广大师生及学校理工科单位相关领域的教师与研究生共同参加了此次报告会。

韩根全，博士，西安电子科技大学教授。2016年入选陕西百人计划并获得基金委优青项目，2020年通过国家杰青答辩。2019获批国家重点研发计划项目首席科学家。2019年获得陕西省青年科技奖和电子学会优秀毕业论文优秀导师奖。

韩根全教授本科毕业于清华大学材料科学与工程专业，2003年保送到半导体所直博研究生。2008年毕业后加入新加坡国立大学从事高端CMOS器件研究工作，期间带领一个团队在高迁移率GeSn沟道MOSFET器件研制方面取得了国际领先的原创性研究成果，被Semiconductor Today等网站多次转载报道。2013年回国到现在主要从事后摩尔新型微电子器件和研究。

韩根全教授在报告会上集中介绍了后摩尔时代其研究团队在逻辑、存储与功率器件等领域取得的最新进展，并针对高迁移率晶体管沟道材料的制备、负电容晶体管结构的设计、非易失晶体管的构筑、Ga2O3超宽禁带晶体管的集成与应用等方面展开了深入的分析与讲解。

报告后期，韩根全教授就广大师生感兴趣的未来晶体管的尺寸极限、量子计算与硅基CPU的关系等问题展开了热烈的交流与讨论。此次报告会学术氛围浓厚，在拓展了广大与会师生视野的同时，加深了与会师生在器件的设计与应用方面的理解，最终，报告在热烈的掌声中圆满结束。