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杜祖亮教授课题组在Journal of Materials Chemistry C 发表了利用Zn1-xMgxO作为电子传输层提高QLED器件发光效率的研究成果

信息来源: 发布日期: 2017-06-30作者: 浏览次数:

最近, 杜祖亮教授课题组报道了利用Zn1-xMgxO作为QLED器件电子传输层,调节器件中电子注入能力,有效地促进了电子空穴复合,最终提高了QLEDs器件的效率,使红色器件的外量子效率提高到9.46%,绿色器件外量子效率提高到8.23%,均达到了商业化器件外量子效率要求。该研究工作发表在J. Mater. Chem. C, 2017, 5, 4724—4730(SCI一区,IF=5.256 )上。http://pubs.rsc.org/-/content/articlehtml/2017/tc/c7tc00453b?page=search

 

                                    图1 红色QLED器件性能及器件点亮照片

 

                                      图2 绿色QLED器件性能及器件点亮照片

 

为了解决由于电荷注入不平衡导致的QDs发光层带电因而发生非辐射符合,降低器件的性能问题,我们采用溶液法合成的不同Mg掺杂浓度的Zn1-xMgxO成功的构筑了红光和绿光量子点发光二极管。红光QLEDs中Zn1-xMgxO作为电子传输层性能得到很大提高。随着掺杂量x的增加,相较于标准器件(x=0),QLEDs的发光亮度均发生不同程度的增长,亮度最大的是在掺杂量x为0.05的器件,亮度的最大值由标准器件的20229 cd m-2最大增加到36685 cd m-2,提高了81%。最大电流效率和功率效率由标准器件的3.74 cd A-1和4.65 lm W-1,最大增加到13.73 A-1和 12.94 lm W-1, EQE最大值达9.46%,提高了2.67倍。