特种功能材料重点实验室

学术交流

何军:金属硫族二维半导体材料及其异质结(时间6.22)

信息来源: 发布日期: 2019-06-21作者: 浏览次数:

报告人:何军 国家纳米科学中心特聘研究员

报告时间:6月22日上午10:00

报告地点:特种功能材料重点实验室二楼报告厅

主办单位:特种功能材料重点实验室

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报告摘要:当材料的特征尺寸降低到纳米级别时,半导体就会展现出一些常规尺寸下所不具有的特性,例如量子限域效应、高的静电调控能力、以及强的光-物质相互作用。在众多的低维结构中,由于二维结构与传统微电子加工技术以及柔性基底具有非常好的兼容性,使得程二维结构的半导体材料在电子和光电子方面的革新浪潮中处于领导地位。因此,对二维半导体的研究具有重要意义。目前为止,本身具有层状和非层状结构的材料都可以以二维的形态被制备出来。其中,对于二维层状材料,尤其是过渡金属双硫族化物的研究已经取得了很大的进展。然而,这方面的研究还仍处于初始阶段,很多重要问题还亟待解决,更系统深入的研究还有待进行。另外值得注意的是,由于大多数半导体都具有非层状的晶体结构,因此实现非层状半导体的二维生长将具有重要的意义。基于以上的问题和挑战,我们的研究主要集中于二维金属硫族化物及其异质结的设计、合成以及应用方面。

何军,研究员,中国科学院大学岗位教授,中国科学院特聘研究员,国家杰出青年基金获得者,中组部“万人计划”中青年科技创新领军人才,科技部中青年科技创新领军人才。2003年在中国科学院半导体研究所获博士学位。2003-2007年,先后在荷兰艾茵霍温科技大学(Tu/e)、美国加州大学Santa Babara (UCSB)从事博士后研究工作。2007-2010年赴美国加州大学Los Angeles (UCLA)任研究科学家。2010年11月进入国家纳米科学中心任“百人计划”研究员。长期从事低维半导体材料及其电子、光电子器件应用研究。研究内容包括:1)新型低维半导体物理性质研究;2)基于新型低维半导体材料新原理、新结构的电子器件设计与制造;3)基于新型二维半导体材料及其异质结的下一代电子、光电子器件及其硅基集成研究。已发表SCI研究论文200余篇,其中包括Nature Electronics、 Science Advances、 Chemical Society Review、Nano Letters、Advance Materials、ACS Nano等影响因子大于10的50篇,论文引用超过5000次。现任Science Bulletin副主编,Elsevier旗下Materials Today Chemistry副主编,Elsevier旗下FlatChem编委,《自然》集团旗下杂志npj 2D materials and applications编委,英国物理学会IOP旗下Nanotechnology和Nano Futures编委。